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金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备“，公开号CN117352490A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备，半导体结构包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括在第二方向排列的多层存储单元；多个引线柱，其中，至少两个所述引线柱分别与不同存储单元组中的不同层的所述存储单元相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的集成度。