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金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117352377A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供基底；在基底内形成间隔设置的多个有源柱以及用于分隔多个有源柱的隔离层；在有源柱和隔离层内形成沿第一方向延伸的多条字线沟槽，字线沟槽包括沿第二方向间隔设置的第一字线沟槽和第二字线沟槽；在第一字线沟槽内形成第一字线，在第二字线沟槽内形成第二字线，第一字线相对的表面均与有源柱形成第一栅极通道，第二字线相对的表面与有源柱形成第二栅极通道，第一栅极通道沿第一方向的宽度和第二栅极通道沿第一方向的宽度之和大于有源柱的周长。本公开用于增加栅极通道的宽度，降低了晶体管的功耗，提高了半导体结构的性能。