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金融界2023年12月13日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容装置的制造方法及电容装置”，授权公告号CN115223790B，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本公开涉及一种电容装置的制造方法及电容装置；该制造方法通过刻蚀电极层直接形成第一电极，从而简化了电容装置的制造步骤。