（来源：大D谈芯）
近日，扬州扬杰电子科技股份有限公司发布2025 年前三季度业绩预告，前三季度预计实现
归属于上市公司股东的净利润为盈利：9.368亿-10.037亿元，较上年同期增长40%-50%；
扣除非经常性损益后的净利润为盈利：8.657亿-9.326亿元，较上年同期增长32.41%-42.64%。
其中第三季度预计实现
归属于上市公司股东的净利润为盈利：3.354亿-4.023亿元，较上年同期增长37.31%-64.71% ；
扣除非经常性损益后的净利润为盈利：3.067亿-3.736元，较上年同期增长32.55%-61.47%。
业绩变动的主要原因：
1）行业回暖，营收增长
半导体行业景气度持续攀升，汽车电子、人工智能、消费类电子等领域呈现强劲增长态势，带动公司主营业务实现显著增长。
2）加大高附加值投入
公司始终坚持产品领先的技术引领战略，持续加大高附加值新产品的研发投入力度，报告期内产品结构持续优化。
3）全方位提升运营效率
公司将精益生产理念深度融入功率半导体生产全流程，通过生产流程优化、质量管控强化及成本精细化管理等举措，全方位提升运营效率。
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2000年，2014年成功上市。公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G 通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。
公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率，整流桥、光伏二极管产品市场全球领先。根据企业销售情况、技术水平及半导体市场份额等综合情况，2025年公司再度蝉联由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强企业”前三强，OMDIA全球功率半导体discrete榜单排名第八，位列国内外多个半导体企业榜单中前二十强，并入选了汽车芯片50强，工信部汽车白名单等。
截至2025年上半年，公司累计获知识产权696件，其中国内发明专利120件，实用新型485件，集成电路布图设计70件，软件著作8件，外观设计13件。作为功率半导体领域标准的主要起草单位之一，参与了国标《半导体分立器件第1部分：分规范》（计划号：20233151-T-339）和《半导体分立器件第 2 部分：分立器件整流二极管》（计划号：20232773-T-339）及团标《半导体芯片封装用导电胶性能要求及测试方法》《光伏组件接线盒用模块二极管》《半导体封装用 UV 减黏保护膜性能要求及测试》。
02 主要产品
分立器件
晶圆
集成电路
另外，根据2025年半年度报告，扬杰科技公司投资的SiC芯片工厂通过IDM技术实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代，所有SiC MOS型号实现覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ，其中第三代SiC MOS平台的比导通电阻（RSP）已做到3.33mΩ.cm2以下，FOM值达到 3060mΩ.nC 以下，可对标国际水平SiC模块方面，增加FJ、62mm、Easy Pack 等系列Si 模块产品。
车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只，重点攻克了芯片银烧结、Pin针超声焊接、铜线互连等先进工艺技术难题；同时针对车规功率模块高功率密度、低热阻的特点，研究了低寄生电感、多并联芯片均流、直接水冷等关键技术。研制了三相桥功率模块（750V/950A IGBT 模块、1200V/2.0mΩ SiC模块）、半桥功率模块（1200V 600A IGBT 模块、1200V 1.6mΩ SiC 模块、1200V 2.0mΩ SiC 模块）。
IGBT产品方面。基于Fabless模式，在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2µm pitch 微沟槽650V 30A-160A，1200V 15A-200A IGBT芯片全系列的开发和优化迭代，并在客户端已实现全系列批量出货。1700V 400A和600A C2和E3半桥产品已经上架，已经实现小批量出货。新能源的光储充应用方面，通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，已经有6个型号（其中新增N3，N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段，涵盖电压 650/1000/1200V、电流19 160-600A 的I型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架。车规单管方面，公司利用自身具备的车规级功率器件封装线，在OBC应用领域，大批量交付车企及tier 1客户；车规模块方面，公司完成建立一条年产“25万”模块的HPD和ED3的车规产线，已经完成建设通线。
MOSFET产品方面。 基于Fabless模式的8吋、12吋平台，在汽车EPS、BCM、油泵、水泵等电机驱动类应用，N40V车规诸多产品(0.4-10mohm)已经通过终端汽车电子客户测试，已经进入批量量产阶段，其中PDFN5060产品最小RDSON已达到0.4mohm；进一步向大功率车载电机类应用做型号扩展，特别针对车载DC-DC、无线充电、车灯、负载开关等应用，N60V/N100V/N150V持续完善系列化型号扩充，也逐步通过个别大客户测试并进入批量段P40V/P60V/P80V 也已经完成了车规级芯片开发，主要针对电池防反，负载开关等应用，多款产品可靠性已经通过车规级验证，逐步推向市场。 全年公司在SGT MOSFET方向加大研发投入，除现有平台加速迭代之外，不断完善 SGT MOSFET 新电压平台研发，新开发的P40V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200V SGT工艺平台，FOM（RDS(ON)*QG）领先市面主流水平 20%以上。
03 公司发展关键事件
2000
成立江苏扬杰电子有限公司
2006
设立桥堆二极管产线
2009
设立4寸芯片产线
2012
设立功率模块产线
获得ISO9001认证
获得ISO14001认证
获得TS16949认证
2013
设立4寸芯片第二条产线
大规模自动化设备取代手工
通过Philips认证
2014
300373"成功登陆深所
台湾办事处成立
通过Delta认证
通过QC080000认证
2015
收购美国MCC
韩国办事处成立
设立DFN、QFN产线
2016
设立6寸SKY芯片产线成立
成立低压MOS研发中心
2017
设立小信号产线
2018
设立汽车电子产线
收购宜兴杰芯高压MOS产线，持有51%股份
2019
日本办事处成立
获得SONY绿色认证
2020
设立5号扬州工厂
设立IGBT产线
收购润奥电子
2021
无锡MOS分公司成立
收购雅吉芯
2022
收购楚微8寸晶圆FAB
设立台湾/日本研发中心
6号厂投入使用
2024
越南封装厂量产
SiC FAB量产
