需求激增、库存枯竭、存储已成“卖方市场”,大摩:投资者不应因“恐高”而离场

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  华尔街见闻

  大摩表示,AI浪潮正驱动存储芯片进入强劲上行周期。需求激增与供应滞后导致DRAM库存降至两周以下,市场已转为“卖方市场”,厂商报价涨幅高达25%。此轮涨价远未见顶,价格具备翻倍潜力,并强调“停留在市场中的时间比择时更重要”,投资者不应因“恐高”而错过后续行情。

  AI引发的需求浪潮正在重塑全球存储市场。

  据追风交易台消息,10月19日,摩根士丹利在最新报告中指出,存储行业正处于一轮强劲上行周期的早期至中期阶段,尽管相关股票已创下新高,但最好的上涨可能尚未到来,投资者不应因“恐高”而过早离场。

  供不应求加剧,转为卖方市场

  通过渠道调查,摩根士丹利发现,受美国云服务客户订单激增的推动,存储芯片生产商已对2025年第四季度的DRAM和NAND闪存报出高达25%的涨价幅度。这表明市场正迅速向卖方倾斜,价格上涨动能强劲。

  报告强调,当前传统内存的供需失衡状况比预期更为严峻。DRAM生产商的库存已骤降至两周以下,NAND闪存库存也回落至长期平均水平之下。

  该行预计,新产能追上需求仍需4到6个季度,供应滞后问题将持续存在。这种环境通常会促使客户建立缓冲库存,从而进一步巩固卖方市场格局。

“我们认为,当前的上涨仍处于早期到中期阶段……价格重返历史峰值意味着有从当前位置翻倍的潜力。我们没有看到任何证据表明,季节性需求疲软会影响到2026年第一季度的存储定价……这些情况通常会促使客户建立缓冲库存,从而强化卖方市场。”

  价格还能涨多高?大摩称远未见顶

  摩根士丹利认为,当前的价格距离历史峰值仍有相当大的上涨空间。

  • NAND闪存:鉴于AI驱动的强劲需求,其价格有望从当前水平翻倍,重返2022年第二季度约0.13美元/GB的峰值。

  • DRAM内存:服务器内存模组的价格曾在2018年第一季度达到10美元/GB的峰值,而目前的谈判价格约为5.4美元/GB。报告认为,考虑到AI内存的潜在市场规模(TAM)预计到2027年将超过传统通用DRAM市场,本轮周期的价格峰值完全有理由超越以往。

  克服“恐高症”,盈利动能是关键

  针对投资者普遍存在的“恐高”心理,大摩直言不讳地指出,这是典型的认知偏误。

“新高通常会带来更高的高点,且这一次有充足的盈利作为支撑;身处市场之中比试图把握市场时机更重要。我们相信,这轮上涨最好的日子可能还在后头。”

  报告强调,驱动股价的核心是盈利动能,而非单纯的AI叙事。以SK海力士和三星电子为例,过去12个月,SK海力士股价上涨约140%,背后是市场对其盈利预期上调了62%;相比之下,三星电子股价上涨约64%,盈利预期仅上调14%。这种差异清晰地表明,“更强劲的盈利修正,带来更强劲的股价回报”。

  分析师Shawn Kim和Duan Liu在报告中写道,试图精准把握市场时机几乎是不可能的,历史周期表明,在上涨趋势中“留在市场的时间比精准择时更重要”。

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