长鑫存储申请半导体设备、其控制方法以及刻蚀系统专利,解决了现有技术中晶边刻蚀难以选择刻蚀位置,造成刻蚀不够灵活的问题

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金融界2023年12月22日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体设备、其控制方法以及刻蚀系统“,公开号CN117276041A,申请日期为2022年6月。

专利摘要显示,本申请提供了一种半导体设备、其控制方法以及刻蚀系统,该半导体设备包括机械臂、管状机构以及喷射机构,其中,管状机构包括嵌套设置的第一管道和第二管道,第二管道设置在第一管道的外侧,且第一管道的管壁与第二管道的管壁之间具有第一通道;喷射机构与机械臂连接,机械臂用于带动喷射机构在第一通道的一端移动。本申请解决了现有技术中晶边刻蚀难以选择刻蚀位置,造成刻蚀不够灵活的问题。