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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制作方法“，公开号CN117276052A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，用以解决相关技术中转移后的图案粗糙度较高的问题。半导体结构包括衬底，衬底上设置有第一掩膜层，第一掩膜层的顶表面覆盖有光阻层，第一掩膜层和光阻层之间设置有复合抗反射层，复合抗反射层包括第一层和第二层，第二层位于第一层远离第一掩膜层的一侧，第二层的消光系数大于第一层的消光系数。对比于相关技术中消光系数较低的介电抗反射层，本申请实施例通过设置具有较高消光系数的第二层，可以提高复合抗反射层对反射光的吸收能力，提高光刻精度，降低转移后的图案的粗糙度。