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金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117352481A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：第一基片，第一基片包括第一衬底以及第一衬底上的第一介质层，第一介质层内具有第一沟槽，第一沟槽内设有第一接触垫；第二基片，第二基片包括第二衬底以及第二衬底上的第二介质层，第二介质层内具有第二沟槽，第二沟槽内设有第二接触垫；基片键合结构，基片键合结构包括第一键合结构以及第二键合结构，第一介质层和第二介质层键合形成第一键合结构，第一接触垫与第二接触垫键合形成第二键合结构；其中，第一接触垫包括第一导电层和位于第一导电层表面的焊料层，第二接触垫包括第二导电层，焊料层和第二导电层键合形成第二键合结构。本申请实施例可以有效防止基片上的器件性能的退化。