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金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置、其制造方法及形成连续的金属盖的方法“，公开号CN117423736A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，半导体装置包含：在半导体基板上方的栅极结构，具有高介电系数介电层、P型功函数层、N型功函数层、介电抗反应层及胶层；及位于栅极结构上方的连续的金属盖，通过以下形成：在栅极结构的上方沉积金属材料，选择性地将部分抗反应层移除，及在栅极结构的上方沉积额外的金属材料。制造方法包含：接收栅极结构；将栅极结构的顶层平坦化；对栅极结构的表面进行预清洗及预处理；在栅极结构的上方沉积金属材料以形成不连续的金属盖；选择性地将部分抗反应层移除；在栅极结构的上方沉积额外的金属材料以创建连续的金属盖；及抑制金属盖的生长。本公开还涉及一种在金属栅极结构的上方形成连续的金属盖的方法。