转自：金融界

本文源自:金融界

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号CN117423628A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，实施例提供了执行用于器件晶圆的载体切换、附接第二晶圆和去除第一晶圆的方法。缓冲层沉积在器件晶圆上方，缓冲层减少了器件晶圆表面的形貌。在载体切换之后，从缓冲层去除线上薄膜层，并且然后至少部分去除缓冲层。本申请的实施例还提供了半导体器件及其形成方法。