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金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117352457A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：在目标层上形成层叠设置的介电层和防护层，防护层至少包括层叠设置的第一防护层和第二防护层，第二防护层、第一防护层和介电层的刻蚀速率依次增加；形成沿垂直于目标层的方向贯穿介电层、第一防护层和第二防护层的通孔，通孔的侧壁垂直于所述目标层；在通孔内形成互连结构。本公开通过合理地调控介电层、第一防护层和第二防护层的刻蚀速率，使得第二防护层、第一防护层和介电层的刻蚀速率依次增加，降低上述三者之间的刻蚀速率的差异性，使得所形成通孔的宽度从上往下处处相等，避免形成具有孔洞的互连结构，提高了半导体结构的性能。