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金融界2024年1月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117334697A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种半导体器件，包括：有源图案，具有下图案和在第一方向上与下图案间隔开的多个片状图案；第一栅极结构和第二栅极结构，设置在下图案上，其中，第一栅极结构和第二栅极结构布置在第二方向上，并且在第二方向上彼此间隔开；源/漏凹陷，限定在第一栅极结构和第二栅极结构之间；以及源/漏图案，填充源/漏凹陷，其中，源/漏图案包括与下图案间隔开的堆叠层错。