台积电申请成像器件及其形成方法专利,实现优化成像器件的设计

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金融界2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“成像器件及其形成方法“,公开号CN117423711A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本公开的各个实施例针对成像器件,该成像器件包括:第一图像传感器元件和第二图像传感器元件,分别包括设置在半导体衬底内的像素单元。第一图像传感器元件与第二图像传感器元件相邻。第一微透镜位于第一图像传感器元件上面,并且从第一图像传感器元件的像素单元的中心横向移位第一透镜移位量。第二微透镜位于第二图像传感器元件上面,并且从第二图像传感器元件的像素单元的中心横向移位不同于第一透镜移位量的第二透镜移位量。本申请的实施例还涉及形成成像器件的方法。